中芯国际开始第二代N + 1工艺的小规模试生产

最近在上海的一个互动平台上，总部位于上海的半导体制造国际公司(SMIC)暗示已开始其第二代N + 1 FinFET工艺的小规模试生产。披露此消息是为了回应投资者对公司在7纳米产品的研发和生产方面取得的进展的疑问。

中芯国际首先宣布，它将在2019年实现中国最先进的14nm工艺的批量生产。该工艺是该公司的第一代FinFET工艺，并于2019年第四季度开始批量生产。 Hisilicon Kirin 710A芯片组首先在Honor Play 4T中使用，然后在其他几款华为产品中使用。

今年9月，当投资者要求投资者核实有关下一代芯片大规模生产的内部消息时，中芯国际回应说，其第二代FinFET N + 1工艺确实已经进入了客户引入阶段。该公司同样暗示，预计将在2020年底开始小规模生产(试生产)。

10月下旬，中国一站式IP和定制芯片公司INNOSILICON宣布，它已完成基于SMIC FinFET N + 1先进工艺的全球首个芯片出带和测试。所有IP均由内部制造，具有一次性功能。

关于N + 1工艺，中芯国际首席执行官梁孟松在今年早些时候透露，该工艺在功率和稳定性方面与7nm工艺非常相似，并且不需要EUV光刻。新的N + 1工艺节点被称为8nm或早期的7nm工艺。该过程适用于低功耗应用。与14nm工艺相比，中芯国际的N + 1工艺性能提高了20%，功耗降低了57%，而7nm市场基准性能提高了35%。

尽管这是一个好消息，但中芯国际仍比台积电落后了几年，台积电已经开始采用5nm工艺，目前正在开发其下一代3nm节点。

（编辑：济源站长网）

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